单晶硅的生长完成到出炉的时间会受到多种因素的影响，以下将从几个方面来详细阐述。
一、生长工艺和设备
不同的单晶硅生长工艺和所使用的设备会对出炉时间产生显著影响。例如，直拉法（CZ 法）和区熔法（FZ 法）的生长过程和速率有所不同。
在直拉法中，通常需要经过引晶、放肩、等径生长等阶段。这个过程中，生长速度、温度控制的精度以及晶体的直径大小等都会影响总的生长时间。一般来说，生长一根直径较大的单晶硅棒可能需要数天甚至更长时间。
而区熔法生长的单晶硅，由于其工艺特点，生长速度相对较慢，完成生长所需的时间可能比直拉法更长。
二、晶体质量要求
对单晶硅的质量要求越高，生长完成后的处理和检测时间就越长。如果要求晶体具有极高的纯度、低缺陷密度和良好的电学性能，那么在生长结束后，需要进行更多的精细处理和严格的检测。
例如，可能需要进行长时间的退火处理来消除内部应力，或者使用高精度的检测设备来检测晶体中的杂质和缺陷。这些额外的处理和检测步骤会增加从生长完成到出炉的时间。
三、生产规模和工厂效率
大规模的生产工厂通常具有更完善的生产流程和更高的效率，能够相对较快地完成从生长到出炉的整个过程。
在大规模生产中，各个环节之间的衔接更加紧密，设备的维护和管理也更加规范，从而减少了不必要的等待时间。而小型的生产设施可能在协调和管理方面存在一些不足，导致整个过程相对较慢。
四、环境和操作人员因素
稳定的生产环境，包括温度、湿度和洁净度等，对于单晶硅的生长和后续处理都非常重要。如果环境条件不稳定，可能需要额外的时间来调整和优化，从而影响出炉时间。
操作人员的技术水平和经验也会对单晶硅的生长和出炉时间产生影响。熟练的操作人员能够更准确地控制生长参数，及时处理生长过程中的异常情况，从而缩短生产周期。
综上所述，单晶硅长完后的出炉时间难以给出一个固定的准确值。一般来说，在较为理想的条件下，采用直拉法生长中等直径的单晶硅，从生长完成到出炉可能需要 1 – 2 周的时间。但如果考虑到更高的质量要求、复杂的工艺或者其他不利因素，这个时间可能会延长至数周甚至数月。
