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本周半导体芯片分析测试还有机时可进实验室FIB,EMMI,SEM,EDX,SAT,X-RAY,IV,Decap,Probe,OM等预约微信134****3602#半导体##芯片##集成电路##失效分析##探针台##晶圆切割#

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发布人赵工
公司国软检测失效分析部
职位失效分析实验室工程师
城市北京市
发布时间2023/02/28 03:30
电话号码134********
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4寸探针台操作视频探针台的用途,1.微小连接点信号引出  2.失效分析失效确认3.FIB电路修改后电学特性确认4.晶圆可靠性验证来源:深圳敏测科技
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突发!长江存储宣布涨价失效分析 赵工 半导体工程师 2023-05-17 08:49 发表于北京5月16日消息,据供应链人士透露,长江存储已经正式通知NAND涨价,涨价幅度约在 3-5% 左右!图片据悉,涨价最先影响的是企业级市场,消费级的现货市场可能还需要一段时间才会看到明显上涨。这两年,SSD市场飞速发展,成本已经大幅降低,再加上这一年来市场需求严重下滑,全球各大 NAND 厂商库存持续处于高位,因此为争夺出货量不得不开启降价模式,目前 SSD 可以说是来到了“白菜价”水平。不单单是大牌,目前很多小众品牌的固态硬盘已经杀到了接近机械硬盘的价位,例如部分采用长江存储泰山颗粒 + 联芸 1602 主控的固态硬盘目前已经来到了每 TB 200 元出头的程度。而随着三星、美光、SK 海力士等品牌 NAND 颗粒已经开始逐步小幅拉升,大部分产品已经很长时间没有再继续降价。从中国闪存市场数据来看,NAND 指数已经有近两个月的时间稳定在一个区间,降价趋势已经大幅低于去年年底。在这种情况下,国产龙头企业长江存储自然也不愿意看到市场再继续下跌。最新消息表明,长江存储的颗粒报价已经从上周开始抬升。这两年,SSD市场飞速发展,容量、性能越来越喜人,价格更是低得不可思议。其中原因很多,长江存储绝对功不可没,NAND闪存技术不断取得突破,已经达到了世界一流水准。虽然长江存储占据的市场还不够大,但足以给三星、SK海力士、美光这些国际巨头相当的压力,什么水灾、火灾、断电、事故等意外也不见了。尽管需求仍不及预期,库存仍面临压力,但各大厂商已经难以继续承受降价后果,例如美光已告知经销商 DRAM 及 NAND Flash 闪存从 5 月起不再接受更低询价;而近日也有消息传出三星通知经销代理商,未来将不再提供低于目前成交价的订单,原厂相继对市场价格打底的动作明显,虽然该策略是针对现货价格,但预计价格止稳的策略将逐步拓展至合约市场。来源:半导体风向标
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芯片分析问答2023.4.16失效分析 赵工 半导体工程师 2023-04-16 09:02 发表于北京Q1请教大家关于LU实验,Q part class2 目前看到很多报告都是3ea高温,3ea常温进行的,这个业界有啥说法嘛?A1高温情况最恶劣,只需做高温就好了,3颗电压激励,3颗电流激励;电压激励电流激励是会在同一颗上打的。Q2请教一下,WLCSP 2P2M的如果PI1和PI2之间怀疑有分层,SAT能扫出来吗?A2理论上应该没问题,可以先用Tmode试一下。如果不是面积太小或delam太轻微(比如Z方向上delam甚至小于0.1um)就应该可以。问题是如果怀疑有问题,那么无论SAT是否扫出来都需要做xsection验证,这个可能会有难度。Q3请教一下,对于单颗的IC器件在做可靠性的时候会做PCT,而amkor和SPIL的那边的官网上看,他们不做PCT的,做UHAST。这分别有什么考量, PCT相对UHAST是不是对wlcsp产品的破坏性要比UHAST要强?A3PCT 是100%湿度,在日常生活中不常见,且应力比uHAST强,所以现在很多公司都不采用PCT转而用uHAST。Q4这个是终端客户上板做高温老化发现塑封体破了个洞,decap后芯片没有烧点,有没有哪位遇到过类似的案例啊?A4没有烧点基本就是水汽了;如果不是批量问题,可能是打开包装在空气中放久了直接进高温烘箱测试了,可以低温烘干一下再测试。Q5塑封料一般回温后的有效使用期多久?A5各类型塑封料不一样,有24小时的,有三天的,具体要看塑封料供方出具的说明书,一般不能超过三天。Q6如果不良品和库存良品,都做了不开盖热点分析,都发现了热点。结果也无法作证是否异常,接下来还可以有什么方案来剖析比较好?都出现热点可以表征什么吗?A6首先确认好品是不是真的好品,因为热点分析反映在产品是某个面,产品由好多材料结构组成,同一个点材料差异,异常导致都有可能,接下来需要对比开盖了,好品和异常品开盖后不同结构的差异,包括性能差异,这时基本会用到探针测试,当然还有一种比较坏的情况,好品并不一定是好的,这时可以做worse condition 验证。Q7请问InGaAs做的热点真实性会受到哪些因素影响?为什么去金属层更准?或者更容易找到?A7金属层过多,会对异常点的亮点有遮挡,所以有时会建议做背面热点;InGaAs归根结底就两句话,一是Metal层不透红外,二是MOS管工作在截止区就会发光。Q8ESD前测试都OK ,打完就有管脚失效,现在开盖是crack的,这种crack可能是ESD造成的吗,还是其它什么原因?A8ESD能量较小,能引起局部瞬间高温,但一般不会导致整个芯片断裂,如果只有一颗发生,有可能是本身存在microcrack。可以再多测几颗试试。还有可以观察ESD damage-fuse的程度,看是否足以引起crack. 如果在ESD测试之后又进行ATE测试,这个过程也有可能加剧damage,甚至crack; 这种看起来像是应力释放或机械应力导致的crack或是peeling,比如划片带来的stress。Q9什么产品需要做LTOL?A9LTOL:(Low temperature operation life test):低温寿命试验,需要上电,基本与HTOL一样,只是炉温是低温,一般用来寻找热载流子引起的失效,或用来试验存储器件或亚微米尺寸的器件。相关标准:JESD22-A108B:Temperature, Bias, and Operating Life;JESD47K:Stress-Test-Driven Qualification of Integrated Circuits大多数可靠性实验表明,环境温度越高,器件退化越严重。热载流子注入效应的情况相反,温度越低,热载流子注入效应越明显。对应于LTOL来说温度越低老化加速越厉害。LTOL的测试条件,JESD47是参考Tj<50℃,但一般会用Ta=-40℃,低温仍然满足Tj<50℃,测试结果适用范围相对较广。车规验证,operation ambient temperature range也是从Ta=-40℃开始。来源:季丰电子赵工
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