2023年举办第一届湘江国际论坛之后，2025(第二届)新能源与储能工程论坛 盛大起航！主办单位：中南大学 中国有色金属工业信息中心会议时间：2025年10月24-26日 湖南.长沙设置11个电池及储能分会场：锂离子电池分论坛锂金属电池与固态电池分论坛钠离子电池及新体系二次电池分论坛太阳电池分论坛氢能与催化分论坛新能源系统与动力工程分论坛能源金属资源提取与循环分论坛新能源与储能工程专业学科建设分论坛新能源与储能产业论坛新能源领域人才交流与产研融合分论坛青年学者分论坛参会代表预计1000-1500人设置近 100 + 展位展示参展、参会及时索取！！！联系人：李婷155****7613（微信同步）

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　　碳化硅MOSFET的基本原理和优势　　碳化硅MOSFET是一种基于碳化硅材料制造的金属-氧化物-半导体场效应晶体管。相比于传统的硅基功率半导体器件，碳化硅MOSFET具有以下几个明显优势：　　1.高温性能：碳化硅材料具有优异的高温特性，能够在高温环境下工作，甚至可以达到200摄氏度以上。这使得碳化硅MOSFET在高温应用中表现出色。　　2.低导通电阻：碳化硅MOSFET的导通电阻比传统硅基MOSFET低很多，能够实现更高的开关频率和更低的功耗，提高电源的效率。　　3.高开关速度：碳化硅MOSFET具有较快的开关速度，可实现更快的开关转换，降低开关损耗和杂散电容效应，提高系统的响应速度。　　4.较低开启电压：碳化硅MOSFET的开启电压较低，意味着在较低的驱动电压下就能实现高效的开关操作。

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碳化硅（SiC）0V关断的核心优势是通过在器件电压降至0V时执行关断操作，最大限度降低关断损耗，同时提升系统效率与可靠性。 其具体优势可分为以下几点： - 显著降低关断损耗：0V关断避免了传统关断过程中电压与电流交叠产生的能量损耗，尤其在高频应用场景下，损耗降低效果更明显，直接提升整体系统能效。- 减少器件应力：关断时无电压应力冲击，可降低碳化硅器件的电应力与热应力，延长器件使用寿命，提升系统长期运行的稳定性。- 简化电路设计：部分应用中可减少对缓冲电路（用于抑制关断电压尖峰）的依赖，降低电路复杂度、体积与成本，同时减少缓冲电路带来的额外损耗。- 适配高频应用：低关断损耗特性让碳化硅器件更适合高频工况（如高频逆变器、开关电源），在提升功率密度的同时，避免系统因高频损耗过高而发热失控。