小编赵工简介半导体工程师 2023-05-09 10:05 发表于北京经常收到网友们好奇的询问赵工是做什么的？特意为你整理回复：半导体搬运工微博博主B站up主A站up主知乎 lv10头条 推荐账号IC智库认证账号雪球2600W+号主加专栏认证号主百家号号主企鹅号号主网易号 影响力作者一点号号主简书号主抖音号主快手号主搜狐号主美篇话题达人电巢受邀专家每日E问受邀作家榜一凯盛受邀专家公众号：半导体工程师 创建者公众号：失效分析可靠性测试 创建者公众号：半导体芯技术 创建者公众号：芯片视角 创建者半导体微信群创建者 合作半导体机构200+被封停了若干账号被封停过，从未放弃过。拥有资源：半导体自媒体，半导体公众号，半导体群，半导体人脉，半导体专业粉丝，半导体实验室，半导体设备，半导体失效分析技术…各媒体，公众号，企业，组织，个人别错过相识机会哦。半导体工程师半导体经验分享，半导体成果交流，半导体信息发布。半导体行业动态，半导体从业者职业规划，芯片工程师成长历程。

小编赵工简介半导体工程师 2023-05-09 10:05 发表于北京经常收到网友们好奇的询问赵工是做什么的？特意为你整理回复：半导体搬运工微博博主B站up主A站up主知乎 lv10头条 推荐账号IC智库认证账号雪球2600W+号主加专栏认证号主百家号号主企鹅号号主网易号 影响力作者一点号号主简书号主抖音号主快手号主搜狐号主美篇话题达人电巢受邀专家每日E问受邀作家榜一凯盛受邀专家公众号：半导体工程师 创建者公众号：失效分析可靠性测试 创建者公众号：半导体芯技术 创建者公众号：芯片视角 创建者半导体微信群创建者 合作半导体机构200+被封停了若干账号被封停过，从未放弃过。拥有资源：半导体自媒体，半导体公众号，半导体群，半导体人脉，半导体专业粉丝，半导体实验室，半导体设备，半导体失效分析技术…各媒体，公众号，企业，组织，个人别错过相识机会哦。半导体工程师半导体经验分享，半导体成果交流，半导体信息发布。半导体行业动态，半导体从业者职业规划，芯片工程师成长历程。

国内做半导体设备比较好的几家公司介绍​失效分析 赵工 半导体工程师 2024-06-28 09:37 北京 听全文最好的几家公司主要包括以下几家：北方华创：作为国内半导体设备商的龙头企业，北方华创在2023年上半年和第三季度的半导体营业收入均超过70亿元和54亿元，稳居排名第一。其产品线丰富，涵盖刻蚀、沉积、清洗等主要半导体制造。盛美上海：盛美上海在2023年排名第三，主要提供半导体清洗设备和其他相关设备。拓荆科技：拓荆科技也是国内领先的半导体设备供应商之一，主要产品包括薄膜沉积设备。华海清科：华海清科在2023年上半年的排名较高，主要提供半导体清洗设备。这些公司在半导体设备领域具有较强的市场竞争力和技术实力，是国内半导体设备行业的佼佼者。北方华创在2023年的具体产品线和技术优势是什么？图片北方华创在2023年的具体产品线和技术优势主要体现在以下几个方面：刻蚀技术：北方华创在刻蚀技术方面实现了12英寸硅、金属、介质刻蚀机的全覆盖，形成了更加完整的刻蚀解决方案。公司尤其在国产ICP刻蚀技术方面具备领先地位，应用于集成电路领域的硅刻蚀机已突破14nm技术，进入主流芯片代工厂。薄膜沉积：北方华创在薄膜沉积设备方面也有显著的技术优势，能够满足不同材料的沉积需求。清洗设备：2023年，北方华创的清洗设备收入合计超30亿元，累计出货超1200台。公司在槽式工艺和高端单片工艺方面实现了突破，覆盖了立式炉的应用。晶体生长：北方华创在晶体生长设备方面也有重要布局，能够生产单晶硅、多晶硅、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等多种材料的外延生长设备。新能源光伏设备：在新能源光伏领域，北方华创的晶硅电池制造设备实现了多项技术突破，建立了行业领先的技术优势，具有高产出、高效能、高稳定性的特点。热处理设备：北方华创在热处理设备方面也有显著的技术优势，能够满足半导体制造过程中的各种热处理需求。中微公司5nm刻蚀机的市场表现和客户反馈如何？中微公司的5nm刻蚀机在市场上表现优异，客户反馈也十分积极。此外，中微公司开发的12英寸高端刻蚀设备已应用于5nm芯片生产线，并用于5nm以下器件中的若干关键步骤的加工。这些设备不仅在国内市场获得了认可，还在国际市场上持续获得更多客户的认可，市场占有率不断提高。从客户反馈来看，中微公司的5nm刻蚀设备已经获得了行业领先客户的批量订单。例如，台积电和三星等知名客户都对中微公司的5nm刻蚀设备给予了高度评价。这表明中微公司的5nm刻蚀设备在精度、速度和稳定性等方面达到了世界一流水平，具有很强的竞争力。盛美上海在半导体清洗设备领域的最新技术进展是什么？盛美上海在半导体清洗设备领域的最新技术进展包括以下几个方面：SAPS和TEBO兆声波清洗技术：盛美上海研发的SAPS（表面活性剂辅助脉冲超声波）和TEBO（温度增强的双波段超声波）兆声波清洗技术，可以应用于45nm及以下技术节点的晶圆清洗领域。Tahoe单片槽式组合清洗技术：该技术也是盛美上海的重要创新之一，进一步提升了清洗效率和精度。全新带框晶圆清洗设备：盛美上海推出了专门设计的真空吸盘带框晶圆清洗设备，采用已申请专利的固定方法，确保在高速旋转过程中处理带框晶圆时具有卓越的稳定性，并且降低了晶圆背面损坏的可能性。湿法清洗设备的成功交付：2024年3月12日，盛美上海宣布其湿法清洗设备成功交付4000腔，标志着公司在全球半导体清洗市场的领先地位进一步巩固。公司的湿法清洗设备能够涵盖95%的清洗步骤，目前在全球单片清洗设备市场份额已攀升至7.2%。持续的技术创新：盛美上海依托日益增强的研发创新能力，掌握了半导体清洗设备、半导体电镀设备和先进封装湿法设备等领域的核心技术，并且仍在不断进行创新迭代。拓荆科技薄膜沉积设备的性能和应用案例有哪些？拓荆科技的薄膜沉积设备在性能和应用案例方面表现出色，具体如下：性能技术指标：拓荆科技的薄膜沉积设备技术指标已达到国际厂商设备水准，能够满足高端半导体制造的需求。多样化产品线：公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备。这些设备覆盖了多种工艺应用，能够支持逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料及100多种工艺应用。高性能设备：例如，HDPCVD设备主要用于STI、PMD、ILD和IMD等各种沟道介质填充，具有高密度等离子体化学气相沉积的特点。应用案例PECVD设备：自2011年首台12英寸PECVD出厂以来，该设备逐渐拓展到其他产品领域，并已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线。ALD设备：拓荆科技的ALD设备通过客户端验证，实现了首台产业化应用，并取得了突破性进展。SACVD设备：拓荆科技是国内唯一一家产业化应用的集成电路SACVD设备厂商，其SACVD设备型号有12英寸SA-300T和8英寸SA-200T，可以沉积bpsg、saf、sa teos材料薄膜，适配12英寸40/28nm以及8英寸90nm以上的逻辑芯片制造工艺需求。HDPCVD设备：HDPCVD设备通过客户端验证，实现了首台产业化应用，并获得了重复订单。混合键合设备：公司还布局应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备，主要包括晶圆对晶圆键合和芯片到晶圆键合两大类设备，其中Dione 300实现首台产业化应用。华海清科在半导体清洗设备市场的竞争策略和市场份额情况如何？华海清科在半导体清洗设备市场的竞争策略和市场份额情况如下：竞争策略产品+服务的平台化发展：华海清科不仅专注于CMP设备的研发和生产，还提供配套材料及技术服务，形成了“装备+服务”的平台化战略布局。这种策略使得公司在市场上具有较强的竞争力，能够满足客户从设备到服务的一站式需求。自主研发与技术突破：公司通过自主研发推出了国内首台12英寸化学机械抛光（CMP）装备，实现了国内市场CMP装备领域的国产替代。此外，公司还在不断拓展减薄装备、划切装备、湿法装备、晶圆再生等其他领域。市场多元化布局：除了CMP设备，华海清科还在晶圆再生、关键耗材与维保服务等领域进行布局，逐步扩大业务规模。市场份额国内市场占有率提升：根据数据显示，华海清科在国内CMP设备市场的占有率从2018年的1.05%增长到2020年的12.64%。尽管与国际巨头如美国应用材料和日本荏原相比仍有较大差距，但其市场份额正在迅速提升。来源：芯片工艺技术半导体工程师半导体经验分享，半导体成果交流，半导体信息发布。半导体行业动态，半导体从业者职业规划，芯片工程师成长历程。203篇原创内容

建议收藏 划片机发展历程芯片失效分析 半导体工程师 2023-02-11 08:37 发表于北京前几天发了晶圆划片文章，反响强烈，不少粉丝要求做进一步介绍，今天请专业人士为你整理了晶圆划片发展历史沿革，供你参考，用得着的可以点赞评论分享给需要的人。划片机发展历程原来划片机经历了这三个阶段精密划片机主要用于硅片、陶瓷、玻璃、砷化镓等材料的加工，也被广泛应用于集成电路 （IC）、半导体等行业。划片机作为半导体芯片后道工序的加工设备之一，用于晶圆的划片、分割或开槽等微细加工，其切割的质量与效率直接影响到芯片的质量和生产成本。图片纵观过去的半个世纪，大规模集成电路时代已向超大规模方向发展，集成度越来越高，划切槽也越来越窄，其对划片的工艺要求越发精细化。迄今为止，在芯片的封装工序中，划片工艺的发展历史大致可分为以下三个阶段。第一阶段：金刚刀划片机19世纪60年代是硅晶体管的发展初期，当时主要应用的划片装置是金刚石划片机，采用的是划线加工法，类似于划玻璃的原理。在晶片的切割街区划出宽2-5μm，深0.15-1.5μm的切线，再从划过线的晶片背面，用圆柱状的碎片工具边压边搓的分裂方法，将晶片分裂成单个芯片。这种方法非常依赖于人工操作，换句话说，操作人员的经验成分占比很大，加压分裂的依赖性就更大。因此，加工成品率很低。第二阶段：砂轮划片机六十年代中期进入集成电路时代，晶圆开始向2英寸、3英寸等大直径化发展。同时，晶圆厚度也从100微米加厚到200-300μm。就器件的划线街宽而言，晶体管发展到了60-100μm，IC为100-150μm，但是当时的砂轮刀片的厚度为150-200μm。在这种情况下，采用原来的工艺方法并不适用。此时，日本研制出世界第一台极薄金刚石砂轮划片机，预示着划片机进入了薄金刚砂轮划片机时代。这种砂轮划片机有效避免了晶圆的裂开性和切槽崩边现象。其原理是通过电沉积法研制而成，即将金刚石粉附着在电镀的金属膜上，因沙粒与沙粒间的间隙被金属填满，增大了沙粒间的粘结力和砂轮的整体韧性，不会产生像树脂和金属粘结剂制成的砂轮上那样的气孔，达到了切割晶圆的实用目的。激光划片机在当时也被认为是接近半导体划片工序的理想设备。其是采用激光束的光熔化硅单晶而进行切割，与金属熔断的加工工艺相似。因此，在切割晶体时烧出的硅粉会四处飞溅，气化状的硅微粒子附着在芯片表面造成污染，芯片也就不能用了。这也是激光划片机的致命缺点。第三阶段：自动化划片机对于金刚刀划片机和砂轮划片机来说，主要目的是提高划片的成品率。但是，随着半导体的需求和产量逐渐增大，对效率的要求越来越高。此时，就有了自动化划片机的需求。自动化划片机主要分为半自动和全自动两种类型。半自动划片机主要是指被加工物的安装及卸载作业均采用手动方式进行，只有加工工序实施自动化操作的装置。而全自动划片机可全部实现全自动化操作。自从进入大规模集成电路时代之后，器件的设计原则开始追求微细化，即在提高元件工作速度的同时，减小芯片的面积。这时晶圆的线宽已经发展到5μm、3μm，甚至达到1μm左右。由于芯片表面图形复杂，若在划片时产生磨屑附着在刀片上，在以后的工序中，不仅会造成电气短路，封装好后，芯片工作发热也会使得硅屑向四周扩散，致使保护膜和铝线变质。因此，划片自动化需要充分考虑划片过程中所包含的各种不良因素，比如机床校准、自动划片、故障诊断、各部件功能、性能和可靠性等。目前，国际市场上的自动化划片机已有效解决上述问题，且半自动划片机已实现切割速度为800mm/s,定位精度≤5μm ；全自动切割速度最高达1000mm/s，定位精度≤2μm。我国真正开始研制砂轮划片机是从70年代末开始的，一直到1982年研制出了第一台国产化的砂轮划片机。经过三十多年的努力与追赶，国内自主研发的金刚砂轮划片机性能已基本与国际市场持平。例如，深圳博捷芯的单轴、双轴精密划片机，不仅切割精度均≤2μm，且实现6、8、12英寸一机兼容。图片博捷芯（深圳）半导体有限公司，是一家专业从事半导体材料划片设备及配件耗材的研发、生产、销售于一体的高新技术企业。公司专注于半导体材料精密切磨领域，成功研制出兼容12、8、6英寸自动精密划片设备，建设并完善了该设备的标准产业化生产线，力求为客户提供优质的划切设备与完整的划片工艺解决方案。目前已成功研制并量产 LX3352单轴高端精密划片机，兼容6-12英寸材料切割，设备性能均超国际标准。更建立了完善的交货和售后保障，缩短交货周期至3个月，并能对客户在用的国外品牌部分设备进行维护。产品适应于半导体领域不同材料的复杂精密切割，广泛应用在半导体集成电路、GPP/LED氮化镓等芯片、分立器件、LED封装、光通讯器件、声表器件、MEMS等芯片划切生产中。好啦，把划片机发展历程转给需要的人吧。你对划片机还有什么想说的可以留言互动哦，小编第一时间为您精选。图片赵工134********zhaojh@kw.beijing.gov.cn欢迎各公众号，媒体转载，申请加白名单秒通过

半导体IC芯片开封方法半导体工程师 2023-05-23 08:57 发表于北京芯片开封的目的开封后，我们能清晰看到芯片表面状态，观察芯片划片道是否有崩边、裂纹，观察芯片表面是否存在异常，观察芯片logo信息，测量芯片尺寸和键合线线径，观察键合线材质，观察钝化层的完整性等芯片内部信息。图片一般常用的开封方法有化学开封、机械开封、激光开封，Decap实验室可以处理几乎所有的IC封装形式，键合线类型(Au、Cu、Ag、Al)。针对不同的键合线类型有不同的腐蚀方法，聚合物树脂被腐蚀液腐蚀成易溶于丙酮的低分子化合物。在超声波的作用下，低分子化合物被清洗掉，从而暴露出芯片表面。Au线腐蚀液：发烟硝酸（工作温度100度）Cu线腐蚀液：发烟硝酸5：硫酸3（工作温度100度）Ag线腐蚀液：发烟硝酸+碘少量，混合成乳白色即可（工作温度100度）Al线腐蚀液：发烟硝酸（IC器件工作温度100度，大功率器件工作温度85度）激光开封图片激光开封机ADVANCED PST-2000芯片开封前用X射线透视仪观察晶圆在塑封中的位置并识别键合线类型，在激光开封机上对应芯片晶圆位置，选择合适开封区域（大于晶圆位置即可，开封后要保证有一个凹槽，防止下一步腐蚀液外溢，损伤引脚），选择合适的扫描速度和功率，激光开封机减薄至键合丝出现，待化学开封。化学开封图片化学开封机根据键合线类型，将电炉调整合适工作温度，将芯片放在电炉上加热，芯片正面朝上。用吸管吸取少量化学腐蚀液，滴在经激光开封后的凹槽中，树脂表面发生化学反应，出现气泡。反应稍微停止后，再滴一次。连续滴5-10滴后，用镊子夹住，用盛有丙酮的洗瓶将腐蚀的塑封料吹走。芯片放入含丙酮的烧杯中，在超声波机中清洗2-5分钟，然后取出再滴。重复这一步骤，直到芯片完全暴露出来。最后，反复用干净的丙酮清洁，以确保芯片表面没有残留物。将所有产品一次放入98%的浓硫酸中煮沸。这种方法更适合样品量大，要求不高，只需要观察芯片表面是否破裂。需要注意的是，操作过程中要注意安全。机械开封针对空封器件，使用机械开封机，将空封器件金属盖剪切下来，或者使用研磨的方法将空封器件金属盖周边磨至接合处（明显看到接缝又没有完全开，如果磨至金属盖全开，可能会有水和其他污染进入空封器件内，这样会污染晶圆表面），然后用手术刀沿着接缝将金属盖划开，注意力度和方向，不要损伤键合线和晶圆表面。来源：广东华南检测；内容有修改

芯片分析问答2023.4.16失效分析 赵工 半导体工程师 2023-04-16 09:02 发表于北京Q1请教大家关于LU实验，Q part class2 目前看到很多报告都是3ea高温，3ea常温进行的，这个业界有啥说法嘛？A1高温情况最恶劣，只需做高温就好了，3颗电压激励，3颗电流激励；电压激励电流激励是会在同一颗上打的。Q2请教一下，WLCSP 2P2M的如果PI1和PI2之间怀疑有分层，SAT能扫出来吗？A2理论上应该没问题，可以先用Tmode试一下。如果不是面积太小或delam太轻微（比如Z方向上delam甚至小于0.1um）就应该可以。问题是如果怀疑有问题，那么无论SAT是否扫出来都需要做xsection验证，这个可能会有难度。Q3请教一下，对于单颗的IC器件在做可靠性的时候会做PCT，而amkor和SPIL的那边的官网上看，他们不做PCT的，做UHAST。这分别有什么考量， PCT相对UHAST是不是对wlcsp产品的破坏性要比UHAST要强？A3PCT 是100%湿度，在日常生活中不常见，且应力比uHAST强，所以现在很多公司都不采用PCT转而用uHAST。Q4这个是终端客户上板做高温老化发现塑封体破了个洞，decap后芯片没有烧点，有没有哪位遇到过类似的案例啊？A4没有烧点基本就是水汽了；如果不是批量问题，可能是打开包装在空气中放久了直接进高温烘箱测试了，可以低温烘干一下再测试。Q5塑封料一般回温后的有效使用期多久？A5各类型塑封料不一样，有24小时的，有三天的，具体要看塑封料供方出具的说明书，一般不能超过三天。Q6如果不良品和库存良品，都做了不开盖热点分析，都发现了热点。结果也无法作证是否异常，接下来还可以有什么方案来剖析比较好？都出现热点可以表征什么吗？A6首先确认好品是不是真的好品，因为热点分析反映在产品是某个面，产品由好多材料结构组成，同一个点材料差异，异常导致都有可能，接下来需要对比开盖了，好品和异常品开盖后不同结构的差异，包括性能差异，这时基本会用到探针测试，当然还有一种比较坏的情况，好品并不一定是好的，这时可以做worse condition 验证。Q7请问InGaAs做的热点真实性会受到哪些因素影响？为什么去金属层更准？或者更容易找到？A7金属层过多，会对异常点的亮点有遮挡，所以有时会建议做背面热点；InGaAs归根结底就两句话，一是Metal层不透红外，二是MOS管工作在截止区就会发光。Q8ESD前测试都OK ,打完就有管脚失效，现在开盖是crack的，这种crack可能是ESD造成的吗，还是其它什么原因？A8ESD能量较小，能引起局部瞬间高温，但一般不会导致整个芯片断裂，如果只有一颗发生，有可能是本身存在microcrack。可以再多测几颗试试。还有可以观察ESD damage-fuse的程度，看是否足以引起crack. 如果在ESD测试之后又进行ATE测试，这个过程也有可能加剧damage，甚至crack; 这种看起来像是应力释放或机械应力导致的crack或是peeling，比如划片带来的stress。Q9什么产品需要做LTOL？A9LTOL：(Low temperature operation life test）：低温寿命试验，需要上电，基本与HTOL一样，只是炉温是低温，一般用来寻找热载流子引起的失效，或用来试验存储器件或亚微米尺寸的器件。相关标准：JESD22-A108B：Temperature, Bias, and Operating Life；JESD47K：Stress-Test-Driven Qualification of Integrated Circuits大多数可靠性实验表明，环境温度越高，器件退化越严重。热载流子注入效应的情况相反，温度越低，热载流子注入效应越明显。对应于LTOL来说温度越低老化加速越厉害。LTOL的测试条件，JESD47是参考Tj<50℃，但一般会用Ta=-40℃，低温仍然满足Tj<50℃，测试结果适用范围相对较广。车规验证，operation ambient temperature range也是从Ta=-40℃开始。来源：季丰电子赵工